Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11612/4605
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dc.contributor.advisorSousa, Regina Lélis de-
dc.contributor.authorSousa, Lucylia Trindade de-
dc.date.accessioned2023-02-03T20:02:35Z-
dc.date.available2023-02-03T20:02:35Z-
dc.date.issued2023-02-03-
dc.identifier.citationSOUSA, Lucylia Trindade de. Investigação das Propriedades Estruturas e Eletrônicas do CdSe e CdTe utilizando métodos de primeiros Princípios. 2014. 54 f. TCC (Graduação) - Curso de Física, Universidade Federal do Tocantins, Araguaína, 2014.pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11612/4605-
dc.description.abstractThe motivation for the study of inorganic semiconductors with high electron affinity has been the possibility of technological applications in photodetectors, photovoltaic and others. CdSe and CdTe have drawn considerable attention in recent years because they have interesting electonic features and have been successfully used as electron transporting layer in organic-inorganic hybrid devices. In order to describe the electronic properties of the CdSe and CdTe in the bulk form, we present a theoretical investigation based on first principle methods of Density Functional Theory (DFT). Our findings demonstrate that our methodology is appropriate and can be used to describe the electronic properties of these materials. Based on results discussed here, we are confident to use this approach to investigate nanostructures of CdSe and CdTe.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Tocantinspt_BR
dc.rightsAcesso livre.pt_BR
dc.subjectDispositivos híbridospt_BR
dc.subjectSemicondutores inorgânicospt_BR
dc.subjectTeoria do Funcional da Densidadept_BR
dc.subjectEstrutura eletrônicapt_BR
dc.subjectHybrid devicespt_BR
dc.subjectInorganic semiconductorspt_BR
dc.subjectDensity Functional Theorypt_BR
dc.subjectElectronic structure.pt_BR
dc.titleInvestigação das Propriedades Estruturas e Eletrônicas do CdSe e CdTe utilizando métodos de primeiros Princípios.pt_BR
dc.typeMonografiapt_BR
dc.description.resumoSemicondutores inorgânicos com alta afinidade eletrônica têm sido extensivamente estudados devido à possibilidade de aplicações tecnlógicas. Dentre as mais promissoras destacamos o uso em fotodetectores, fotovoltaicos, entre outros. Os materiais aqui investigados, CdSe (seleneto de cádmio) e CdTe (telureto de cadmio), têm sido utilizados com sucesso como camada transportadora de elétrons em dispositivos híbridos e têm contribuído para significativa melhora na eficiência dos mesmos. Neste trabalho, apresentamos um estudo, do ponto de vista quântico, das propriedades estruturais e eletrônicas do CdSe CdTe na forma bulk. Nossos resultados mostram que nossa metodologia é adequada e podemos utilizá-la com sucesso para descrever estes materiais quando nanoestruturados, isto é, na forma que são mais interessantes para aplicações tecnológicas.pt_BR
dc.publisher.campusAraguaínapt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICApt_BR
dc.publisher.cursoCURSO::ARAGUAÍNA::PRESENCIAL::LICENCIATURA::FÍSICApt_BR
dc.publisher.localAraguaínapt_BR
dc.publisher.levelGraduaçãopt_BR
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